Seminar: Od epitaksije oksidov na Si do funkcionalnih heterostruktur s tehniko PLD

Predavatelj: Predavatelj: prof. dr. Matjaž Spreitzer (Head of Advanced Materials Department, Jožef Stefan Institute)

Kdaj:
20 April 2026 ob 11. uri

Kje:
Univerza v Ljubljani, Fakulteta za elektrotehniko,
Tržaška cesta 25, Ljubljana (Diplomska soba, B0)

in preko spleta: Zoom povezava do dogodka

Več o predavanju:
V okviru predavanja bom predstavil 15 let razvoja pulznega laserskega nanašanja (PLD) na Institutu »Jožef Stefan«, kot ene izmed ključnih tehnik za sintezo epitaksialnih tankih plasti in heterostruktur. Na Odseku za raziskave sodobnih materialov smo v sodelovanju z Nanocentrom vzpostavili prvi PLD laboratorij v Sloveniji, ki danes vključuje dva komplementarna PLD sistema. Osrednji znanstveni izziv laboratorija se nanaša na atomsko nadzorovano rast oksidov na polprevodniških platformah. V primeru Si substrata predstavlja ključni korak integracije Sr‑pasivacija in kontrola rekonstrukcije Si površine. Urejenost pasivirane površine, ki se kaže v terasah z enodimenzionalnimi verigami atomov, je ključna za nadaljnjo epitaksialno rast oksidov. Ta vključuje postopek kinetično kontrolirane sekvenčne depozicije, ki omogoča rast zaščitne in urejene plasti SrTiO₃. Na osnovi elektronske sklopitve SrTiO₃ s Si smo pokazali na možnost uporabe pripravljenih heterostruktur za pretvorbo sončne energije v zeleni vodik. Kot alternativo direktni epitaksiji smo razvili tudi postopek van der Waalsove epitaksije, ki poteka preko vmesnega sloja grafena. Ta omogoča pripravo kakovostnega SrTiO₃ psevdosubstrata ter zmanjšuje zahteve vpenjanja in medsebojne reaktivnosti. Na tako pripravljenih pseudosubstratih smo nadalje preučevali magnetne, feroelektrične in piezoelektrične heterostrukture ter funkcionalnosti ciljano prilagajali z elastičnimi in termičnimi napetostmi, kar bom v predavanju podkrepil s prikazom konkretnih primerov

Komu je predavanje namenjeno:
Raziskovalcem, inženirjem, študentom in strokovnjakom, ki delujejo na področjih polprevodniških tehnologij, znanosti o materialih, mikroelektronike in sorodnih področij. Vljudno vabljeni tudi vsi ostali, ki jih tema zanima.

Udeleži se predavanja na povezavi: https://uni-lj-si.zoom.us/j/9533102762

OTHERS

MOGOČE VAS ZANIMA TUDI...

Lorem ipsum

UNIVERSITIES AND RTOs of CC CHIP.SI

University of Ljubljana
UL FE & UL FRI
• cleanroom facilities sub-micron (Bi)CMOS
• mixed signal ASIC design, FPGA, RISC
• THz sensors and arrays, MEMS
• Si based photonic integrated circuits

University of Maribor
FERI
• mixed signal ASIC design (flight-proven chips)
• advanced waveguide and fiber sensor solutions
• micromachining technologies, MEMS, MOEMS

 

University of Nova Gorica
• organic electronics
• graphene based devices
• electro-optical characterization

Jožef Stefan Institute
• material research
• radiation detectors
• quantum technology
• thin-film chip related technologies
• ASIC design

CoE Nanoscience & Nanotechnology
Nanocenter
• nanofabrication facilities
• advanced quantum devices (supercond. transmon qubits)
• energy-efficient ultra fast memory (cryo, quantum)

Newsletter

Prejemajte tedenske novosti